Couche mince - Import export

Les oxydes métalliques en couche mince SnO2:F ou FTO Fluorine-doped tinoxide (Dioxyde d’étain dopé Fluor) ITO ou Indium tin oxide (Oxyde d’indium et d’étain) ZnO ou Zinc oxide (oxyde de Zinc, parfois dopé à l’Aluminium) … sont des matériaux transparents conducteurs – d’où le terme « TCO = Transparent Conductive Oxides » – employés comme substrats dans de nombreuses applications : cellules solaires en couche mince, organiques ou inorganiques, LCD, écrans plats, dispositifs électro-chromes, vitrages bâtiment … Le plus souvent déposées sur verre, ils sont également disponibles sur plastique pour des composants spécifiques : OLEDs, afficheurs souples, verres ophtalmiques … SOLEMS a développé depuis plusieurs années, une expertise en tant qu’utilisateur et producteur de ces matériaux, notamment par pulvérisation cathodique REACTIVE (avec oxygène) AVANTAGES : BASSE TEMPERATURE de dépôt, compatible avec de nombreux supports, y compris plastique grande densité des couches couches très...

Sur le matériau silicium amorphe, voir Notions d’électricité solaire Sur les photopiles au silicium amorphe, voir Cellules photovoltaïques Sur les panneaux TD au silicium amorphe, voir Panneaux solaires Le dépôt de silicium par PECVD* à partir du silane présente de nombreux avantages C’est un procédé à température modérée 150-250°C Il permet de produire du silicium en couche mince de bonne qualité, sous toutes ses formes : amorphe, polymorphe, microcristallin, dopé ou non dopé, ainsi que des alliages Silicium-Carbone, Silicium-Germanium, Nitrure de Silicium … Il incorpore naturellement l’hydrogène nécessaire à l’obtention de matériaux photoconducteurs Il est « autonettoyant » grâce à des plasmas de gravure qui décapent les matériaux déposés sur les parois * Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition = Dépôt en phase gazeuse assisté par plasma A SOLEMS tous les composants silicium sont produits à partir d’une jonction p-i-n déposée dans cet...